一、磁场磁密：损耗的核心驱动因素

       磁滞损耗与磁密的 1.5-2.5 次方成正比（P_h ∝ B^n，n=1.5-2.5），磁密越高，磁畴转向和壁移阻力越大，损耗激增。

       当磁密接近硅钢饱和磁密（无取向硅钢 1.6-1.7T，取向硅钢 1.8-1.9T）时，损耗会呈指数级上升，例如磁密从 1.3T 提升至 1.7T，硅钢铁损可翻倍。

       工程中通常将电机磁密控制在 1.3-1.5T、变压器控制在 1.5-1.7T，平衡损耗与输出性能。

二、磁场频率：损耗的放大关键

       涡流损耗与频率的平方成正比（P_e ∝ f²），磁滞损耗与频率近似成正比（P_h ∝ f），频率升高会快速放大总损耗。

       工频（50/60Hz）下，0.35mm 硅钢铁损约 2-5W/kg；而高频（1kHz）时，同厚度硅钢铁损可达 50-100W/kg，需换用 0.1-0.2mm 薄带硅钢抑制损耗。

       变频设备的谐波频率（如 2-8kHz）会产生额外高频损耗，占总损耗的 30%-50%，需特殊磁畴设计或涂层优化。

三、磁场波形：附加损耗的主要来源

       正弦波磁场是损耗基准，波形畸变（如方波、梯形波、谐波叠加）会增加附加损耗，畸变率每提升 10%，总损耗可增加 5%-15%。

       变频电机的 PWM 波形含大量高次谐波，会引发 “谐波损耗”，需通过硅钢高频低损化处理（如细化晶粒、优化涂层）降低影响。

       直流偏磁会导致磁场波形偏移，使硅钢局部进入饱和区，附加损耗增加 10%-20%，同时加剧温升。

四、磁场环境温度：损耗的微调因素

       常温区间（20-80℃）：硅钢电阻率和磁导率稳定，损耗变化≤±5%，基本可忽略。

       高温环境（>100℃）：电阻率略有上升，涡流损耗降低 3%-8%，但磁导率下降会导致磁滞损耗略升，总损耗呈微弱下降趋势，却会加速电机 / 变压器绝缘老化。

       低温环境（<0℃）：电阻率降低，涡流损耗增加 2%-5%，磁滞损耗略有上升，总损耗小幅增加，对低温工况设备需提前核算。